設(shè)備概況

WEE設(shè)備是涂膠顯影設(shè)備中的一部分，因為在涂膠工藝之后，晶圓邊緣會殘留球狀物，會影響光刻工藝，所以需要將晶圓邊緣的球狀物去除，WEE設(shè)備就是利用激光曝光方式進行去邊的一種設(shè)備。設(shè)備主要分為兩部分，測量工位和去邊工位。晶圓隨機上料到旋轉(zhuǎn)平臺，在測量工位進行測量，找到晶圓中心后通過橫移機構(gòu)，至去邊工位進行曝光去邊。

課題

1. 對于測量工位，如何找準平邊晶圓圓心、缺口晶圓圓心以及去邊起始角度？

2. 對于去邊工位，如何控制旋轉(zhuǎn)和橫移軸實現(xiàn)去邊？

解決方案

通過測量工位得到晶圓中心坐標、平邊/缺口晶圓起始點坐標、平邊晶圓的平邊兩端點坐標等關(guān)鍵信息，結(jié)合Pro_WEE去邊軌跡生成_V1 FB自動生產(chǎn)旋轉(zhuǎn)和橫移軸的曝光需要的電子凸輪運動軌跡曲線，實現(xiàn)精準的去邊控制。

系統(tǒng)配置

實現(xiàn)價值

1. 實現(xiàn)6寸-8寸Notch晶圓和平邊晶圓的高精度去邊。

2. 圓邊去邊精度：0.06 mm

3. 平邊去邊精度：0.2 mm

4. 起始角度精度：±0.1°以內(nèi)

5. 流程所需時間：30 秒以內(nèi)

【經(jīng)營層】

協(xié)同推進核心設(shè)備自主化技術(shù)攻關(guān)，支持客戶構(gòu)建差異化制造能力。

【業(yè)務(wù)層】

推進生產(chǎn)品質(zhì)精益管理，優(yōu)化去邊工藝精度控制與節(jié)拍穩(wěn)定性，服務(wù)高標準制造需求。

【現(xiàn)場層】

探索開發(fā)周期優(yōu)化路徑，推進關(guān)鍵技術(shù)課題攻關(guān)，服務(wù)研發(fā)效能提升目標。

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