當半導體制造邁入后摩爾時代，檢測需求正在快速升級。從傳統晶圓表面缺陷檢測，到先進封裝、多層堆疊結構解析，客戶面臨的挑戰已經不再只是“看得見”，而是要同時解決檢測區域更大、結構更精細、數據量更龐大、節拍要求更高等多重問題。

尤其在 Chiplet、CoWoS、FOPLP、RDL、混合鍵合、TSV 等新型工藝持續演進的背景下，檢測系統正在面臨三個越來越突出的矛盾：

視場不足：拍攝頻次多，影響檢測效率

分辨率不足：微結構難以穩定解析，影響檢測精度

吞吐能力不夠強：整機效能與后端 AI 處理能力難以充分釋放。

鑫圖100G超高通量面陣相機：Libra 27105 即將登場

正是在這樣的產業趨勢下，鑫圖 100G 超高通量面陣相機 Libra 27105 即將登場。它圍繞半導體檢測對大視場、高精度、高效率的綜合需求而設計，為先進制造場景提供更具競爭力的面陣快照成像方案。

2.5英寸超大靶面，效率提升3倍

隨著 Chiplet、CoWoS、FOPLP 等先進封裝向大尺寸發展，檢測區域持續擴大。傳統面陣相機視場覆蓋不足，需要多次拍攝拼接，導致檢測節拍下降并增加拼接誤差，成為大尺寸封裝AOI效率提升的關鍵限制。

Libra 27105采用28.08mm × 28.08mm超大感光區域，相比傳統21MP（GSPRINT 4521）級大靶面工業相機，有效成像面積提升約3倍，對比65MP （GMAX 3265 ）機型提升約 35%；單次拍攝覆蓋更廣，檢測效率顯著提升。

112fps@105MP：實現100億級像素/秒高通量采集

隨著半導體檢測向自動化、智能化發展，缺陷分類、自動復判和精密量測需要更大規模、更高質量的圖像數據輸入，對相機的數據吞吐能力提出更高要求。

Libra 27105搭載100G CoF高速接口，在1.05億像素全分辨率下，幀率高達112fps，數據吞吐量達到11,760 MP/s。相較典型65MP或21MP級工業相機，數據吞吐能力提升約2.5倍，為AI檢測、缺陷復檢及精密量測提供更高效的數據采集能力。

2.74 μm高密度像元：提升精細結構和微缺陷解析力

隨著先進封裝中微米級線路、凸點和互連結構不斷增加，檢測系統不僅需要覆蓋更大區域，也需要保持足夠的空間采樣能力。

Libra 27105采用2.74 μm小像元設計，在2.5英寸級超大靶面下實現105MP高分辨率成像，在兼顧大視場與高通量的同時，為精細結構和微小缺陷解析提供更高的空間采樣能力。

典型應用場景

鑫圖光電Libra 27105超高通量面陣相機即將重磅首發！

8月31日，無錫第十四屆半導體設備材料及核心部件展C1-118展位，為您深度解析后摩爾時代下的半導體檢測超大面陣解決方案，敬請關注！